삼성·TSMC 택했다, 어플라이드의 신기술 뭐길래

프라부 라자 어플라이드 반도체 제품그룹 사장은 14일 서울 강남구 ‘세바시X데마코홀’에서 열린 미디어 라운드테이블에서 “AI 시대에는 에너지 효율이 더욱 높은 컴퓨팅이 요구되고, 성능 및 전력 소비에서 칩 배선과 적층이 매우 중요하다”며 “우리의 최신 통합 재료 솔루션은 반도체 업계가 저저항 구리 배선을 옹스트롬 노드로 스케일링(미세화) 할 수 있도록 하며, 최신 로우k(low-k) 유전체는 정전용량을 낮추고 칩을 강화해 3D 적층의 차원을 높인다”고 말했다.

이날 어플라이드는 자사 ‘블랙 다이아몬드(Black Diamond)’ 소재의 최신 기술을 공개했다. 이번 최신 버전은 최소 유전율을 낮춰 2나노 이하로 구리 배선 미세화를 가능하게 해 와트(W)당 성능을 높였다. 또 3D 로직과 메모리 적층의 차원을 높이는데 중요한 기계적 강성을 향상했다.

초박막 구리 배선을 구현할 수 있었던 배경에는 6개 기술을 하나의 고진공 시스템에 조합한 최신 ‘엔듀라’쿠퍼 배리어 씨드 IMS(통합 재료 솔루션)이 있다. 업계 최초로 루테늄과 코발트(RuCo)의 이원(binary) 금속으로, 라이너의 두께를 최대 33%인 2나노까지 축소한다. 공극 없는 구리 리플로(reflow)를 위한 표면 물성을 개선하고 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮춰 칩 성능과 전력 소비를 개선한다.

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